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LDO稳压器高精度电压基准源的分析与设计
( 2007/11/28 09:54 )
摘要:超低漏失线性稳压器的技术关键,是基准源模块的设计,在对双极型LDO稳压器进行分析的基础上,提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。 关键词:集成电路;线性稳压器;超低漏失 随着集成电路规模的发展,电子设备的体积、重量和功耗越来越小,这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能提出了越来越高的要求。电源IC产品主要包括线性稳压器、开关式稳压器(DC/DC)、电池充电/管理IC、PWM/PFM控制器、AC/DC稳压器及功率因数校正(PFC)预稳压器等。而目前在所有这些电源IC中,线性稳压器IC的销售额最大,LDO线性稳压器又是增长最多和最快的产品,它的快速崛起源自于便携式产品的不断涌现,如便携式电话、PDA(个人数字助理)、掌上型/膝上型电脑、数码相机等。 LDO线性稳压器综述 LDO(LowDropout)线性稳压器,也称低压差线性稳压器或低漏失线性稳压器。 LDO线性稳压器与开关式稳压器的比较
从表中可看出,LDO线性稳压器和开关式稳压器各有优缺点,在应用时需权衡考虑各种特点。 LDO线性稳压器应用效率
因此,输入输出压差越低、静态电流(输入电流和输出电流之差)越低线性稳压器的工作效率就越高。在实际应用中,我们分析效率时还必须清楚:电池不是理想电源,它具有输出电阻,供电时,它的电压是逐渐下降的。电池的这种特性是非常有利于LDO线性稳压器工作效率的。LDO线性稳压器工作效率随着电池电压的下降而逐渐升高。另外,在小负载电流时,稳压器的效率将受静态电流的限制,比如输出电流等于输入电流的一半,则稳压器的效率将减少一半,因此当设备处于“待机”状态时,静态电流决定了电池的使用寿命。因此设计低压差、低静态电流的线性稳压器已成为便携式设备电源管理课题的一大技术解决方案。 双极型超LDO线性稳压器的设计要求 本设计完成的是一款小功率超LDO(超低漏失电压)线性稳压器,最大工作电流能达到100mA,输出电压3.3V。 引脚设计要求
SOT-23封装外形示意如图1,这种封装的面积小于3×3mm2。
图1 SOT-23封装外形 应用要求 极限参数设计要求
注1:最大允许功耗是最大结温TJ(max),结与外界热敏电阻θJA,以及外界温度TA的函数,在任何外界温度下的最大允许功耗用下式计算: 模块电路设计和性能实现 实现超低漏失电压和低静态电流是本设计的关键技术,同时为了兼顾其它主要电特性,对每个模块的设计都提出了很高的要求。本文着重介绍其中基准源模块的设计。 系统框图和工作原理
图2 XD4821的系统框图
高精度电压基准模块设计 实用的带隙基准电压电路 图3 是一种实用的带隙基准电压电路。Ql和Q2的发射区面积比为1:N,Q3和Q4完全对称,构成镜像电流源给Ql和Q2提供工作电流,因而IC3=IC4,ICl=IC2,IEl=IE2。则Rl上的压降为
式中,VT=KT/q为热电压,J1、J2分别是Q1、Q2管的发射极电流密度,它们之间的比值为
由IE1=IE2得R2上的压降为
基准电压为
从上式中可得到基准电压只与PN结的正向压降、电阻的比值以及Ql和Q2的发射区面积比有关,因此在实际的工艺制作中将会有很高的精度。当基准建立之后,基准电压与输入电压无关;而且VBE具有负温度系数,VT为正温度系数,理论上,只要选取合适的R2/R1和R1(决定Q1发射极电流,从而影响VBE1)的值就可以得到零温度系数基准电压。 完整电路的设计
图3 实用的带隙基准电压电路
图4 完整的带隙基准电压电路 Q1、Q2、R1和R2组成的是一种带隙比较器,其门限电压为(式5)所求得的值,当输入电压较低时,基准电压小于门限电压,此时电流很小,两晶体管的VBE几乎相等,而Q2比Q1面积大,故IC2大于IC1,带隙比较器输出(Q1集电极)为“高”,Q5截止;随着输入电压的增大,基准逐渐增大,IC1电流呈指数规律上升,IC2受电阻R1限制线性上升,当这两者电流达到相等时,带隙比较器输出“低”使Q5导通,吸收部分Io电流,使基准输出稳定到门限值。因此Q5起反馈作用,而这整个电路就相当于电压跟随器。但是这种结构的特殊之处是通过改变偏置电流源而实现反馈功能的,反馈过程如下:
基准模块是线性稳压器的一个核心部分,基准的大小直接决定了稳压器的输出的大小,它是影响稳压器精度的最主要因素。本文基于LDO线性稳压器在电源管理类IC家族中的重要地位,给出了实现超低漏失、低静态电流的电压基准模块的设计,为便携式设备的电源管理提供了可行的解决方案。
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