为了比较每个器件的钳位性能，利用示波器来截取ESD发生期间的电压波形。

利用完全相同的测试条件，对上述器件进行并排测试。

图3中显示出每个二极管对正/负ESD脉冲的响应曲线。

所用的输入脉冲为IEC61000-4-2第4级的标准接触电压(8 kV)。

 

 

图3：三种ESD保护二极管的钳位电压对比(示波器屏幕截图)。

从图3所示的屏幕图上可见，显然，与两个竞争对手的器件(蓝色波形)相比较，安森美半导体保护解决方案(黑色波形)提供更低的ESD脉冲钳位电压。与竞争对手2的18 V和竞争对手1的23 V相比较，安森美半导体的器件将正脉冲钳位在14 V。而在负脉冲期间，这三个器件之间钳位电压的差异更加明显。安森美半导体、竞争对手2和竞争对手1的器件对负脉冲的钳位电压分别是20 V、34 V和42 V。在负ESD脉冲期间这三种器件之间有明显的区别，竞争对手2的器件的钳位电压比安森美半导体的器件高70%，而竞争对手1的器件的钳位电压则是安森美半导体器件的两倍之多。通过竞争对手的保护器件后的剩余负脉冲电压对那些更容易受到ESD破坏的新IC设计有潜在的危险。然而，安森美半导体的器件却能在负脉冲和正脉冲两个方向上保持低的钳位电压，从而将遭受正/负ESD脉冲的破坏风险都保持在最低水平。

好的保护器件需要对正/负ESD脉冲都能进行很好的钳位，以保证终端产品在实际条件下具有最高的可靠性。在正/负两个方向上的低钳位电压确保保护器件能保护极敏感的IC，这使得设计工程师能利用可以实现更多功能和更高速度的最新IC技术。由于认识到在选择ESD保护器件时钳位电压的重要性日益提高，很多提供保护器件的公司在他们最新ESD保护器件的数据表中提供了类似图3中的ESD钳位屏幕截图。

上一页 1 2 3